• ①GaN HEMTのウエハプロセス開発
• ②多層配線（電極材料、層間絶縁膜、平坦化）技術開発
• ③放熱・実装に関するプロセス開発（基板研削、ビアやチップ分離加工、裏面金属形成等の加工技術）
• ④受動素子（キャパシタ、インダクタ、抵抗）形成プロセス開発

■契約期間：期間の定めなし(正社員)

■試用期間：あり(3カ月)

■給与：経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。
　想定年収：450万円～800万円
　月給　　：28万円～40万円

■諸手当：通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当

■加入保険：健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険

■勤務時間
　8：30～17：15
　（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
　※コアタイムは11:00から14:00

■休日・休暇
　年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
　年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
　積立休暇
　リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
　計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
　※初年度は入社月により異なります。

■福利厚生
　企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)