• ・高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開

• ・高周波GaN HEMT用エピタキシャルウェハの設計
• ・高周波GaN HEMT用エピタキシャル成長技術開発
• ・生産技術開発及び生産への展開

• 以下のいずれかの経験をお持ちの方
• ・各種半導体ウェーハエピタキシャル成長研究・開発経験者
• ・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
• ・関連する半導体プロセス技術に関するスキル保有者

• ・TOEIC 500点以上または同等の英会話能力

• ・高周波化合物半導体エピタキシャルウェハの知識をお持ちの方
• ・GaN HEMT用エピ成長技術開発の経験がある方
• ・エピウェハの生産技術開発及び生産への展開経験のある方

■契約期間：期間の定めなし(正社員)

■試用期間：あり(3カ月)

■給与：経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。
　想定年収：450万円～800万円
　月給　　：28万円～40万円

■諸手当：通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当

■加入保険：健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険

■勤務時間
　8：30～17：15
　（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
　※コアタイムは11:00から14:00

■休日・休暇
　年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
　年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
　積立休暇
　リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
　計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
　※初年度は入社月により異なります。

■福利厚生
　企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)