募集職種詳細

光デバイスエンジニア
【横浜】光ファイバ通信用光半導体レーザ開発業務

職務内容
  • 半導体レーザ(主にDFBレーザ)および半導体光アンプの構造設計、評価、結晶成長、プロセス技術開発
応募資格 <必須要件>
・半導体レーザ設計従事経験者
・半導体レーザの結晶成長、プロセス技術開発従事経験者
<語学力>
・TOEIC550点以上
・中国語が堪能な方
待遇

■契約期間:期間の定めなし(正社員)

■試用期間:あり(3カ月)

■給与:経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。
 想定年収:450万円~800万円
 月給  :28万円~40万円

■諸手当:通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当

■加入保険:健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険

■勤務時間
 8:30~17:15
 (フレックスタイム制あり 標準労働時間:7時間45分)
 ※コアタイムは11:00から14:00

■休日・休暇
 年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
 年次有給休暇20日(翌年繰越は最高20日)
 積立休暇
 リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇(慶弔休暇など)
 計画有休制度(個人計画有休5日)、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
 ※初年度は入社月により異なります。

■福利厚生
 企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)

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